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先進(jìn)半導(dǎo)體

Advanced Semiconductor

微波射頻類襯底

發(fā)布時(shí)間:2020-07-08 16:07:03

微波射頻類襯底 

非摻半絕緣體材料在微電子領(lǐng)域中作為外延襯底砷化鎵用于制造微波射頻器件(RF)。 

1、產(chǎn)品圖片

           非摻砷化鎵晶體拋光片(直徑3英寸、4英寸、6英寸)

2、產(chǎn)品規(guī)格

Production Specification

HBT

Growth Method:

VGF

Conduct Type:

N

Dopant:

Un

Diameter:

4"-6"

Ingot CC:

N/A

Resistivity:

≥1E8

Mobility:

≥4000

EPD:

Ave. :≤ 10000

Bow:

<10

Warp:

<10

TTV:

<5

Light Point Defects:

N/A 


3、應(yīng)用領(lǐng)域

 核磁共振系統(tǒng)

 

出入口人體安檢

 

 激光掃描成像

 

 小型無人機(jī)

 

 電子防盜鎖

 

  雷達(dá)

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